双王炸! 三星全球首秀 HBM5技术、HBM4E 成品芯片!

三星半导体在COMPUTEX上展示了横跨存储器、晶圆代工、逻辑芯片与先进封装的全球唯一IDM（整合元件制造商）模式的「全方位解决方案（ Total Solution ）」竞争力，以及迎接新一代AI系统的发展策略。

此次展览中，三星首度公开了下一代HBM解决方案—HBM4E 晶圆与芯片。HBM4E由三星最先进的1c DRAM制程的核心晶粒（Core Die），与三星晶圆代工4纳米制程的基础晶粒（Base Die）结合而成的次世代HBM解决方案。该产品能稳定支持每引脚（Pin）最高14Gbps的传输速度，未来可扩充至16Gbps（最高4TB/s频宽）的效能。此外，HBM4E的容量较前一代提升30%以上，并可依照客户与系统需求，提供从32GB至64GB的多种配置。

除HBM4E之外，也同步公开了下一代HBM 架构模型（Mock-up）。三星表示，最受瞩目的是，首度亮相、瞄准 HBM5 时代的核心技术—HPB（Heat Path Block）架构。HPB是三星为提升下一代HBM散热效能所开发的热管理架构（Thermal Architecture）技术。

三星指出，随着AI加速器效能、存储器频宽与功率密度快速提升，散热管理已成为高效能AI系统发展的重要关键。尤其在HBM5架构中，需要以更快的速度处理更多的数据量，存储器内部产生的热量也随之大增。其中，负责HBM与外部GPU之间超高速数据传输的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer），是Base Die中主要的发热来源之一。随着数据传输速度越快，D2D PHY所产生的热量也同步增加。因此，在HBM5等高效能产品中，如何有效控温与散热，将是关键竞争力。

HPB技术正是为了解决此挑战而开发，HPB的结构设计是在D2D PHY区域额外配置一条独立的热传导路径（ThermalPath ），让热可以更有效率地向外传导与散发，借此可降低热阻（Thermal Resistance），提升运作稳定性，即使在高带宽、高密度整合的环境下，也能展现更稳健的系统效能表现。

三星目前已在HBM4E的基础上完成HPB技术验证，并计画从HBM5开始正式导入此技术。这是三星首次正式公开下一代HBM架构及热管理技术发展方向，预期将成为强化HBM技术领导地位的重要里程碑。

三星表示，这次展览也展示因应NVIDIA Vera Rubin 平台发展方向的AI存储器与储存产品组合。在 GPU 方面，展示了 HBM4；在系统存储器领域，则有 SOCAMM2；在储存解决方案杠杆平台，则介绍 PM1763、PM1753 与 PM9D3a 等针对AI工作负载特性最佳化的产品。特别是，PM1763 预计将搭载于 NVIDIA VR200 GPU 服务器的本机 SSD（Local SSD）使用。